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離子遷移試驗設(shè)備

簡要描述:離子遷移試驗設(shè)備,在高溫高濕條件下,對電子零部件以及印刷電路板的絕緣部分測試電阻值,也能夠進(jìn)行高效率的絕緣可靠性評估。

  • 更新時間:2024-05-14
  • 訪  問  量:1157
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 產(chǎn)品型號:HVUα_3000V
品牌其他品牌產(chǎn)地進(jìn)口
加工定制

離子遷移試驗設(shè)備

離子遷移實驗裝置是一種信賴性試驗設(shè)備,原理為印刷電路板上給予一固定的直流電壓( BIAS VOLTAGE ), , 經(jīng)過長時間的測試(1 ~1000  小時)并觀察線路是否有瞬間短路的現(xiàn)象發(fā)生( ION MIGRATION ), , 并記錄電阻值變化狀況,故又叫做 CAF  試驗,絕緣阻力電阻試驗,或者是 OPEN/SHORT 試驗,我們將其統(tǒng)稱為絕緣劣化試驗。( ION MIGRATION TESTING )

適用規(guī)格 : JPCA- - ET01- - 2001

通過最大3000v直流偏壓,它可以測試TDDB測試、高壓離子遷移和絕緣測試,例如高壓設(shè)備、高壓電路板和高壓部件。

此外,HVUa系列還可以測試太陽能系統(tǒng)框架和電池之間的漏電。HVUa系列可在每個通道上設(shè)置50-3000v的任何電壓

離子遷移試驗設(shè)備

支持測試檢測瞬時局部放電的最大30oov

通過每個通道反饋控制精確的輸入偏置

在1個系統(tǒng)中擴展最大20Och(5Och x 4case)

通過有源保護(hù)電纜進(jìn)行低噪聲測量

通過不使用機械繼電器確保高可靠性

HVUα_2000V離子遷移試驗裝置-1.jpg

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