簡要描述:離子遷移試驗設(shè)備,在高溫高濕條件下,對電子零部件以及印刷電路板的絕緣部分測試電阻值,也能夠進(jìn)行高效率的絕緣可靠性評估。
品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地 | 進(jìn)口 |
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加工定制 | 是 |
離子遷移試驗設(shè)備
離子遷移實驗裝置是一種信賴性試驗設(shè)備,原理為印刷電路板上給予一固定的直流電壓( BIAS VOLTAGE ), , 經(jīng)過長時間的測試(1 ~1000 小時)并觀察線路是否有瞬間短路的現(xiàn)象發(fā)生( ION MIGRATION ), , 并記錄電阻值變化狀況,故又叫做 CAF 試驗,絕緣阻力電阻試驗,或者是 OPEN/SHORT 試驗,我們將其統(tǒng)稱為絕緣劣化試驗。( ION MIGRATION TESTING )
適用規(guī)格 : JPCA- - ET01- - 2001
通過最大3000v直流偏壓,它可以測試TDDB測試、高壓離子遷移和絕緣測試,例如高壓設(shè)備、高壓電路板和高壓部件。
此外,HVUa系列還可以測試太陽能系統(tǒng)框架和電池之間的漏電。HVUa系列可在每個通道上設(shè)置50-3000v的任何電壓
離子遷移試驗設(shè)備
支持測試檢測瞬時局部放電的最大30oov
通過每個通道反饋控制精確的輸入偏置
在1個系統(tǒng)中擴展最大20Och(5Och x 4case)
通過有源保護(hù)電纜進(jìn)行低噪聲測量
通過不使用機械繼電器確保高可靠性